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- MicroWave Technology, Inc. es un fabricante líder de RF y amp; productos de semiconductores discretos de microondas, amplificadores de potencia GaAs y GaN RF, dispositivos pHEMT de bajo ruido, MMIC, amplificadores inalámbricos, módulos híbridos y amplificadores de microondas conectorizados.
Ubicada en Silicon Valley, California, MicroWave Technology, Inc. (MwT) fue fundada en 1982 por directores técnicos con amplia experiencia en el diseño y fabricación de dispositivos con arseniuro de galio (GaAs). Con una fábrica que ocupa 35,000 pies cuadrados, los principales activos de la compañía incluyen tanto su fábrica de semiconductores GaAs como una instalación de fabricación de circuitos híbridos de chips (microondas, circuitos integrados y microondas). La fabricación vertical y la fuerza del producto proporcionan una flexibilidad y una oportunidad poco comunes en el mercado de componentes de microondas.
MwT es un importante fabricante comercial de diodos y transistores de arseniuro de galio con sede en los EE. UU. (FET, pHEMT y diodos de Gunn). Los primeros trabajos que se centraron en la confiabilidad del dispositivo dieron como resultado sistemas de metalización patentados que hacen que los dispositivos de MwT sean impermeables a la contaminación por hidrógeno, que ahora es un tema de gran preocupación para la industria de alta confiabilidad. Estos dispositivos emplean tecnología de proceso de compuerta empotrada de material epi y de cuarto de micra, lo que resulta en altamente lineal (+48 dBm IP3 en un amplificador inalámbrico de 1 W P-1 dB) y bajo ruido de fase (-125 dBc a 100 KHz de compensación en un 17.5 GHz DRO) dispositivos con salidas de potencia que van desde 10 milivatios a 5 vatios. Estos dispositivos, vendidos como chips o en paquetes, encuentran un amplio uso en la amplificación de señales de 10 MHz a 40 GHz en la transmisión o recepción de información en sistemas de infraestructura inalámbrica, aplicaciones industriales de RF y en diversos dispositivos electrónicos de defensa y espaciales.
Al aprovechar las bajas características de distorsión de intermodulación de los GaAs FET de MwT, la compañía ha adquirido una creciente reputación por su línea de productos de módulos de amplificador de montaje y montaje en superficie modulares internamente pequeños y adaptados internamente destinados a multiportadoras y / o modulados digitalmente (alta linealidad ) infraestructura inalámbrica y sistemas de comunicación militar. Las aplicaciones principales son como terminales frontales del receptor y como amplificadores de salida de driver o picocélulas en estaciones base celulares, PCS y WLL y comunicaciones militares de alta confiabilidad. Cabe destacar que los nuevos productos tienen una pérdida de retorno de entrada y salida extremadamente baja, lo que facilita la inserción de ganancia en cascadas de amplificador de potencia de alta linealidad altamente críticas. MwT ofrece su capacidad de procesamiento de circuitos de película delgada probada de alta confiabilidad para uso interno y externo del cliente. Empleando la construcción de microcircuitos híbridos de película delgada, MwT produce y comercializa diversos productos de ampli fi cadores modulares estándar a 26 GHz. Estos módulos también son elementos de construcción para que MwT diseñe y fabrique amplificadores estándar y personalizados para aplicaciones de defensa y telecomunicaciones.
MwT tiene muchos años de experiencia en la creación de diseños especializados para clientes y cuenta con una amplia biblioteca de diseños personalizados basados ​​en dispositivos MwT. MwT usa sus versiones estándar y personalizada de sus partes para producir ampli fi cadores especializados y productos de nivel de placa. Nuestra experiencia comprobada y nuestra trayectoria pueden ayudarlo a ahorrar costos de diseño, tiempo y recursos de ingeniería. Los ejemplos incluyen LNA de baja frecuencia, amplificador amplificador de LNA inalámbrico, bloques de construcción integrados, osciladores de alta frecuencia, placas de evaluación y equipos de prueba.