EXSHINE Número de pieza: | EX-BSR58LT1G |
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Fabricante Número de pieza: | BSR58LT1G |
Fabricante / Marca: | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Breve descripción: | JFET N-CH 40V 350MW SOT23 |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición: | New and unused, Original |
Descarga de la hoja de datos: | BSR58LT1 |
Solicitud: | - |
Peso: | - |
Reemplazo Alternativo: | - |
Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id | 800mV @ 1µA |
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Tensión - Breakdown (V (BR) GSS) | 40V |
Paquete del dispositivo | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - |
Resistencia - RDS (on) | 60 Ohm |
Potencia - Max | 350mW |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante | BSR58LT1G |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Tipo FET | N-Channel |
Descripción ampliada | JFET N-Channel 8mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
Descripción | JFET N-CH 40V 350MW SOT23 |
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0) | 8mA @ 15V |
Paquete estándar | 3,000 |
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