EL3052S(TA)-V

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EL3052S(TA)-V

EXSHINE Número de pieza:EX-EL3052S(TA)-V
Fabricante Número de pieza:EL3052S(TA)-V
Fabricante / Marca:Everlight Electronics
Breve descripción:OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6SMD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:EL301x,2x,5x Series
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Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
EL3052S(TA)-V
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Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

Diámetro del eje (mm) No
Tensión - Estado Off 600V
Voltaje - Aislamiento 5000Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico) 1.18V
Activar hora -
Paquete del dispositivo 6-SMD
Estática dV / dt (Min) 1kV/µs
Serie -
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-SMD, Gull Wing
Tipo de salida Triac
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 100°C
número de canales 1
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 12 Weeks
Número de pieza del fabricante EL3052S(TA)-V
Descripción ampliada Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD
Descripción OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6SMD
Corriente - En estado (It (RMS)) (Max) 100mA
Corriente - LED Trigger (Ift) (Max) 10mA
Corriente - Hold (Ih) 250µA (Typ)
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.) 60mA
aprobaciones CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE

Otros

Paquete estándar 1,000

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Distribuidor de Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies es el desarrollador y fabricante líder de RAM magnética (MRAM) que ofrece productos MRAM independientes e integrados. La MRAM de Everspin es la memoria no volátil más rápida de la industria y ofrece una resistencia ilimitada, una confiabilidad incomparable, una retención de datos de más de 10 años e interfaces paralelas y en serie. Como primer proveedor mundial de MRAM en volumen, Everspin ha establecido una cartera de propiedad intelectual de MRAM de más de 600 patentes y aplicaciones activas, muchas de las cuales son fundamentales y esenciales para las tecnologías de MRAM.

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