FQPF47P06YDTU

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FQPF47P06YDTU

EXSHINE Número de pieza:EX-FQPF47P06YDTU
Fabricante Número de pieza:FQPF47P06YDTU
Fabricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:FQPF47P06
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FQPF47P06YDTU
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220F-3 (Y-Forming)
Serie QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 26 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo) 62W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks
Número de pieza del fabricante FQPF47P06YDTU
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 110nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada P-Channel 60V 30A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V
Descripción MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)

Otros

Paquete estándar 50

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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