IRFR120NCPBF

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IRFR120NCPBF

EXSHINE Número de pieza:EX-IRFR120NCPBF
Fabricante Número de pieza:IRFR120NCPBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IRFR/U120NPbF
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Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
IRFR120NCPBF
En stock: 30051 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Mínimo:1

Múltiples:1

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo D-Pak
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 210 mOhm @ 5.6A, 10V
La disipación de energía (máximo) 48W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante IRFR120NCPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 100V 9.4A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V
Descripción MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Ta)

Otros

Paquete estándar 75

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