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IMB9AT110
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IMB9AT110 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IMB9AT110 |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descripción: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | EMB9, UMB9N, IMB9A |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IMB9AT110
En stock: 48876000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo | SMT6 |
| Serie | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms) | 47k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms) | 10k |
| Potencia - Max | 300mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SC-74, SOT-457 |
| Otros nombres | IMB9AT110-ND IMB9AT110TR |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | IMB9AT110 |
| Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Descripción ampliada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| Descripción | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
Otros
| Paquete estándar | 3,000 |
|---|---|
| Otros nombres | IMB9AT110-ND IMB9AT110TR |
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