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BYV25G-600,127

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BYV25G-600,127

EXSHINE Número de pieza:EX-BYV25G-600,127
Fabricante Número de pieza:BYV25G-600,127
Fabricante / Marca:WeEn Semiconductors Co., Ltd
Breve descripción:DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:BYV25G-600
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
BYV25G-600,127
En stock: 29218000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.3V @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V
Paquete del dispositivo I2PAK
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 60ns
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres 934063968127
Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 12 Weeks
Número de pieza del fabricante BYV25G-600,127
Descripción ampliada Diode Standard 600V 5A Through Hole I2PAK
Tipo de diodo Standard
Descripción DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr 50µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) 5A
Capacitancia Vr, F -

Otros

Paquete estándar 50
Otros nombres 934063968127

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Distribuidor de WeEn Semiconductors

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