ALD210808PCL

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ALD210808PCL

EXSHINE Número de pieza:EX-ALD210808PCL
Fabricante Número de pieza:ALD210808PCL
Fabricante / Marca:Advanced Linear Devices, Inc.
Breve descripción:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:ALD210808/A
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ALD210808PCL
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 20mV @ 10µA
Paquete del dispositivo 16-PDIP
Serie EPAD®, Zero Threshold™
RDS (Max) @Id, Vgs -
Potencia - Max 500mW
embalaje Tube
Paquete / Cubierta 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante ALD210808PCL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs -
Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair
Característica de FET Logic Level Gate
Descripción ampliada Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 16-PDIP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 10.6V
Descripción MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 80mA

Otros

Paquete estándar 50

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Distribuidor de Advanced Linear Devices Inc.

- Advanced Linear Devices, Inc., (ALD) desarrolla y fabrica circuitos analógicos CMOS de precisión ultra baja potencia, productos relacionados a nivel de placa y módulos de recolección de energía y accesorios que incorporan la tecnología exclusiva EPAD® de la compañía. Los productos semiconductores estándar de ALD incluyen un complemento completo de los mejores interruptores analógicos de bajo voltaje de inyección de carga ultra baja de "lo mejor de su clase", convertidores A / D de doble pendiente y procesadores digitales, comparadores de voltaje de precisión, riel a riel de precisión Los amplificadores operacionales CMOS y los temporizadores CMOS de baja deriva con salida de descarga alta, así como también una amplia selección de mejoras, agotamiento y modo de umbral cero combinados con matrices MOSFET de EPAD emparejados.

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