ALD2331ASAL

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EXSHINE Número de pieza:EX-ALD2331ASAL
Fabricante Número de pieza:ALD2331ASAL
Fabricante / Marca:Advanced Linear Devices, Inc.
Breve descripción:IC COMP VOLT CMOS OD DUAL 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:ALD2331(A,B)
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ALD2331ASAL
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500+:
$3.735
1000+:
$3.15
2500+:
$2.993
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Parámetro del producto

Alimentación de voltaje, simple / doble (±) 3 V ~ 10 V, ±1.5 V ~ 5 V
Voltaje - Offset de entrada (Max) 0.5mV @ 5V
Tipo General Purpose
Paquete del dispositivo 8-SOIC
Serie EPAD®
Retardo de propagación (Max) -
embalaje Tube
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de salida CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL
Otros nombres 1014-1121
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C
Número de elementos 2
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante ALD2331ASAL
Histéresis -
Descripción ampliada Comparator General Purpose CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL 8-SOIC
Descripción IC COMP VOLT CMOS OD DUAL 8SOIC
Corriente - Reposo (Máx) 180µA
Corriente - Salida (Typ) 50mA @ 5V
Corriente - polarización de entrada (Max) 20pA @ 5V
CMRR, PSRR (Typ) 80dB CMRR, 75dB PSRR

Otros

Otros nombres 1014-1121
Paquete estándar 50

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Distribuidor de Advanced Linear Devices Inc.

- Advanced Linear Devices, Inc., (ALD) desarrolla y fabrica circuitos analógicos CMOS de precisión ultra baja potencia, productos relacionados a nivel de placa y módulos de recolección de energía y accesorios que incorporan la tecnología exclusiva EPAD® de la compañía. Los productos semiconductores estándar de ALD incluyen un complemento completo de los mejores interruptores analógicos de bajo voltaje de inyección de carga ultra baja de "lo mejor de su clase", convertidores A / D de doble pendiente y procesadores digitales, comparadores de voltaje de precisión, riel a riel de precisión Los amplificadores operacionales CMOS y los temporizadores CMOS de baja deriva con salida de descarga alta, así como también una amplia selección de mejoras, agotamiento y modo de umbral cero combinados con matrices MOSFET de EPAD emparejados.

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