ALD2732ASAL

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ALD2732ASAL

EXSHINE Número de pieza:EX-ALD2732ASAL
Fabricante Número de pieza:ALD2732ASAL
Fabricante / Marca:Advanced Linear Devices, Inc.
Breve descripción:IC OPAMP GP 1.5MHZ RRO 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
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ALD2732ASAL
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Parámetro del producto

Alimentación de voltaje, simple / doble (±) 4 V ~ 10 V, ±2 V ~ 5 V
Voltaje - Offset de entrada 600µV
Paquete del dispositivo 8-SOIC
Velocidad de subida 1.9 V/µs
Serie -
embalaje Tube
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de salida Rail-to-Rail
Otros nombres 1014-1246
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C
Número de circuitos 1
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante ALD2732ASAL
Producto ganancia-ancho 1.5MHz
Descripción ampliada General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
Descripción IC OPAMP GP 1.5MHZ RRO 8SOIC
Suministro de corriente -
Corriente - Salida / Canal -
Corriente - polarización de entrada 10pA
Tipo amplificador General Purpose
Ancho de banda de -3 dB -

Otros

Paquete estándar 50
Otros nombres 1014-1246

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Distribuidor de Advanced Linear Devices Inc.

- Advanced Linear Devices, Inc., (ALD) desarrolla y fabrica circuitos analógicos CMOS de precisión ultra baja potencia, productos relacionados a nivel de placa y módulos de recolección de energía y accesorios que incorporan la tecnología exclusiva EPAD® de la compañía. Los productos semiconductores estándar de ALD incluyen un complemento completo de los mejores interruptores analógicos de bajo voltaje de inyección de carga ultra baja de "lo mejor de su clase", convertidores A / D de doble pendiente y procesadores digitales, comparadores de voltaje de precisión, riel a riel de precisión Los amplificadores operacionales CMOS y los temporizadores CMOS de baja deriva con salida de descarga alta, así como también una amplia selección de mejoras, agotamiento y modo de umbral cero combinados con matrices MOSFET de EPAD emparejados.

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