ALD4303SBL

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ALD4303SBL

EXSHINE Número de pieza:EX-ALD4303SBL
Fabricante Número de pieza:ALD4303SBL
Fabricante / Marca:Advanced Linear Devices, Inc.
Breve descripción:IC COMP VOLT CMOS OD QUAD 14SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:ALD4303,(A)
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ALD4303SBL
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1000+:
$2.968
2500+:
$2.82
  • Descripción
  • Pago
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  • embalaje

Parámetro del producto

Alimentación de voltaje, simple / doble (±) 3 V ~ 10 V, ±1.5 V ~ 5 V
Voltaje - Offset de entrada (Max) 10mV @ 5V
Tipo General Purpose
Paquete del dispositivo 14-SOIC
Serie -
Retardo de propagación (Max) -
embalaje Tube
Paquete / Cubierta 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de salida CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL
Otros nombres 1014-1172
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C
Número de elementos 4
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante ALD4303SBL
Histéresis -
Descripción ampliada Comparator General Purpose CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL 14-SOIC
Descripción IC COMP VOLT CMOS OD QUAD 14SOIC
Corriente - Reposo (Máx) 90µA
Corriente - Salida (Typ) 60mA @ 5V
Corriente - polarización de entrada (Max) 30pA @ 5V
CMRR, PSRR (Typ) -

Otros

Paquete estándar 50
Otros nombres 1014-1172

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Distribuidor de Advanced Linear Devices Inc.

- Advanced Linear Devices, Inc., (ALD) desarrolla y fabrica circuitos analógicos CMOS de precisión ultra baja potencia, productos relacionados a nivel de placa y módulos de recolección de energía y accesorios que incorporan la tecnología exclusiva EPAD® de la compañía. Los productos semiconductores estándar de ALD incluyen un complemento completo de los mejores interruptores analógicos de bajo voltaje de inyección de carga ultra baja de "lo mejor de su clase", convertidores A / D de doble pendiente y procesadores digitales, comparadores de voltaje de precisión, riel a riel de precisión Los amplificadores operacionales CMOS y los temporizadores CMOS de baja deriva con salida de descarga alta, así como también una amplia selección de mejoras, agotamiento y modo de umbral cero combinados con matrices MOSFET de EPAD emparejados.

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