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EHJ4C
| EXSHINE Número de pieza: | EX-EHJ4C |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | EHJ4C |
| Fabricante / Marca: | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Breve descripción: | CABLE OUTPUT EH4200 TO EH300/1 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | 1 |
| Descarga de la hoja de datos: | EH4295 Preliminary |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
EHJ4C
En stock: 78870 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| Serie | - |
|---|---|
| Otros nombres | 1014-1205 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | EHJ4C |
| Para uso con / Productos relacionados | EH4295 |
| Descripción | CABLE OUTPUT EH4200 TO EH300/1 |
| Tipo de accesorio | Cable Assembly |
Otros
| Paquete estándar | 1 |
|---|---|
| Otros nombres | 1014-1205 |
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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Distribuidor de Advanced Linear Devices Inc.
- Advanced Linear Devices, Inc., (ALD) desarrolla y fabrica circuitos analógicos CMOS de precisión ultra baja potencia, productos relacionados a nivel de placa y módulos de recolección de energía y accesorios que incorporan la tecnología exclusiva EPAD® de la compañía. Los productos semiconductores estándar de ALD incluyen un complemento completo de los mejores interruptores analógicos de bajo voltaje de inyección de carga ultra baja de "lo mejor de su clase", convertidores A / D de doble pendiente y procesadores digitales, comparadores de voltaje de precisión, riel a riel de precisión Los amplificadores operacionales CMOS y los temporizadores CMOS de baja deriva con salida de descarga alta, así como también una amplia selección de mejoras, agotamiento y modo de umbral cero combinados con matrices MOSFET de EPAD emparejados.