AS4C64M8D1-5TINTR

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EXSHINE Número de pieza:	EX-AS4C64M8D1-5TINTR
Fabricante Número de pieza:	AS4C64M8D1-5TINTR
Fabricante / Marca:	Alliance Memory, Inc.
Breve descripción:	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	AS4C64M8D1
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

AS4C64M8D1-5TINTR
En stock: 61120 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Suministro de voltaje	2.3 V ~ 2.7 V
Paquete del dispositivo	66-TSOP II
Velocidad	200MHz
Serie	-
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	512Mb (64M x 8)
Formato de memoria	DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante	8 Weeks
Número de pieza del fabricante	AS4C64M8D1-5TINTR
Interfaz	Parallel
Descripción	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP

Otros

Paquete estándar	1,000

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Distribuidor de Alliance Memory, Inc.

- Alliance Memory, Inc. es un proveedor mundial de productos de memoria LEGACY para los mercados de comunicaciones, informática, industrial y de consumo. La compañía admite una gama completa de SRAM asíncronas de 3.3 V y 5 V que se utilizan con procesadores de señales digitales (DSP) y microcontroladores convencionales; SRAM sincrónicas, SRAM de baja potencia y SRAM de baja potencia ZMD. Alliance Memory también ofrece productos DRAM síncronos (SDR), DDR1, DDR2 y DDR3.
Alliance Memory, Inc. es una compañía privada con sede en San Carlos, California, sede regional en el Reino Unido y Taiwán con oficinas de ventas regionales en Alemania, Francia, Italia, Suecia (que abarca la región nórdica) y el sudeste asiático. Más información sobre Alliance Memory está disponible en línea en www.alliancememory.com

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