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CTLDM7120-M832DS TR

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CTLDM7120-M832DS TR

EXSHINE Número de pieza:EX-CTLDM7120-M832DS TR
Fabricante Número de pieza:CTLDM7120-M832DS TR
Fabricante / Marca:Central Semiconductor
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 20V 1A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:CTLDM7120-M832DS
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1.2V @ 1mA
Paquete del dispositivo TLM832DS
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Potencia - Max 1.65W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-TDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks
Número de pieza del fabricante CTLDM7120-M832DS TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1A (Ta) 1.65W Surface Mount TLM832DS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción MOSFET 2N-CH 20V 1A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)

Otros

Paquete estándar 3,000

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