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CPMF-1200-S080B
| EXSHINE Número de pieza: | EX-CPMF-1200-S080B |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | CPMF-1200-S080B |
| Fabricante / Marca: | Cree |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | CPMF-1200-S080B |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
En stock: 55401 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | +25V, -5V |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Paquete del dispositivo | Die |
| Serie | Z-FET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| La disipación de energía (máximo) | 313mW (Tj) |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Die |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | CPMF-1200-S080B |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) |
| Descripción | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
Otros
| Paquete estándar | 1 |
|---|
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T / T (Transferencia bancaria) Recibiendo: 1-4 días. |
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 |
EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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Distribuidor de Cree/Wolfspeed
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