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DMG4800LSD-13

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DMG4800LSD-13

EXSHINE Número de pieza:EX-DMG4800LSD-13
Fabricante Número de pieza:DMG4800LSD-13
Fabricante / Marca:Diodes Incorporated
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:DMG4800LSD
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Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
DMG4800LSD-13
En stock: 52142000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1.6V @ 250µA
Paquete del dispositivo 8-SOP
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 16 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max 1.17W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres DMG4800LSD-13DITR
DMG4800LSD13
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 16 Weeks
Número de pieza del fabricante DMG4800LSD-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.56nC @ 5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.17W Surface Mount 8-SOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A

Otros

Otros nombres DMG4800LSD-13DITR

DMG4800LSD13
Paquete estándar 2,500

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