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STM332U
| EXSHINE Número de pieza: | EX-STM332U |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | STM332U |
| Fabricante / Marca: | EnOcean |
| Breve descripción: | MODULE TEMPERATURE SENSOR |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | STM3xx(C,U) |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
STM332U
En stock: 52110 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| Suministro de voltaje | 3V |
|---|---|
| Serie | Scavenger |
| Alimentación - Salida | - |
| embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | Module |
| Otros nombres | 1084-1015 S3051-D332 STM 332U |
| Temperatura de funcionamiento | -20°C ~ 60°C |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Modulación o protocolo | FSK |
| Tamaño de la memoria | 32kB Flash, 2kB RAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | STM332U |
| Frecuencia | 902MHz |
| Caracteristicas | - |
| Descripción ampliada | RF Transmitter FSK 902MHz 125kbps On-Board, Whip Antenna Module |
| Descripción | MODULE TEMPERATURE SENSOR |
| Velocidad de datos (máx.) | 125kbps |
| Interfaz de datos | Connector |
| Corriente - Transmisión | - |
| aplicaciones | General Purpose |
| Conector de antena | On-Board, Whip |
Otros
| Otros nombres | 1084-1015 S3051-D332 STM 332U |
|---|---|
| Paquete estándar | 100 |
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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Distribuidor de Enocean
- EPC es el líder en dispositivos de administración de energía basados en nitruro de galio en modo de mejora. EPC fue el primero en introducir FET de galio-nitruro en silicio (eGaN) en modo de mejora como sustitutos MOSFET de potencia en aplicaciones tales como convertidores CC-CC, transferencia de energía inalámbrica, seguimiento de envolvente, transmisión de RF, inversores de potencia, tecnología de detección remota ( LiDAR), y amplificadores de audio de clase D con un rendimiento del dispositivo muchas veces superior a los mejores MOSFET de potencia de silicio.