67-21/G6C-FN2P2B/2A0

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EXSHINE Número de pieza:	EX-67-21/G6C-FN2P2B/2A0
Fabricante Número de pieza:	67-21/G6C-FN2P2B/2A0
Fabricante / Marca:	Everlight Electronics
Breve descripción:	LED YELLOW-GRN CLEAR 2SMD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	67-21/G6C-FN2P2B/2A0
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

67-21/G6C-FN2P2B/2A0
En stock: 72528000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Longitud de onda - Pico	575nm
Longitud de onda - dominante	572nm
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)	2.05V
Ángulo de visión	120°
Paquete del dispositivo	2-PLCC
Tamaño / Medidas	3.20mm L x 2.70mm W
Serie	-
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	2-SMD, Z-Bend
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Valoración de Intensidad lumínica	54mcd
Tiempo de entrega estándar del fabricante	8 Weeks
Número de pieza del fabricante	67-21/G6C-FN2P2B/2A0
Transparencia de la lente	Clear
Estilo / tamaño de lente	Round with Flat Top, 2.40mm
color de la lente	Colorless
Altura (Max)	2.00mm
Caracteristicas	-
Descripción ampliada	Yellow-Green 572nm LED Indication - Discrete 2.05V 2-SMD, Z-Bend
Descripción	LED YELLOW-GRN CLEAR 2SMD
Corriente - Prueba	20mA
Color	Yellow-Green

Otros

Paquete estándar	2,000

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Distribuidor de Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies es el desarrollador y fabricante líder de RAM magnética (MRAM) que ofrece productos MRAM independientes e integrados. La MRAM de Everspin es la memoria no volátil más rápida de la industria y ofrece una resistencia ilimitada, una confiabilidad incomparable, una retención de datos de más de 10 años e interfaces paralelas y en serie. Como primer proveedor mundial de MRAM en volumen, Everspin ha establecido una cartera de propiedad intelectual de MRAM de más de 600 patentes y aplicaciones activas, muchas de las cuales son fundamentales y esenciales para las tecnologías de MRAM.

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