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EAALST03RDAA0
| EXSHINE Número de pieza: | EX-EAALST03RDAA0 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | EAALST03RDAA0 |
| Fabricante / Marca: | Everlight Electronics |
| Breve descripción: | AMBIENT LGT SENS THRU-HOLE ALS |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | EAALST03RDAA0 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
EAALST03RDAA0
En stock: 91995000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| Longitud de onda | 630nm |
|---|---|
| Suministro de voltaje | 2.5 V ~ 5.5 V |
| Tipo | Ambient |
| Paquete del dispositivo | T-1 (3mm) |
| Serie | - |
| Detección de Proximidad | No |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Radial |
| Tipo de salida | Voltage |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | EAALST03RDAA0 |
| Descripción ampliada | Optical Sensor Ambient 630nm Voltage Radial |
| Descripción | AMBIENT LGT SENS THRU-HOLE ALS |
Otros
| Paquete estándar | 1,000 |
|---|
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Distribuidor de Everlight Electronics Co Ltd
- EverSpin Technologies es el desarrollador y fabricante líder de RAM magnética (MRAM) que ofrece productos MRAM independientes e integrados. La MRAM de Everspin es la memoria no volátil más rápida de la industria y ofrece una resistencia ilimitada, una confiabilidad incomparable, una retención de datos de más de 10 años e interfaces paralelas y en serie. Como primer proveedor mundial de MRAM en volumen, Everspin ha establecido una cartera de propiedad intelectual de MRAM de más de 600 patentes y aplicaciones activas, muchas de las cuales son fundamentales y esenciales para las tecnologías de MRAM.