ELSH-F31Y1-0LPNM-AA3A5

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ELSH-F31Y1-0LPNM-AA3A5

EXSHINE Número de pieza:EX-ELSH-F31Y1-0LPNM-AA3A5
Fabricante Número de pieza:ELSH-F31Y1-0LPNM-AA3A5
Fabricante / Marca:Everlight Electronics
Breve descripción:LED SHUEN 1W HI POWER YLW SMD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:Shuen 1W Series
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ELSH-F31Y1-0LPNM-AA3A5
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Parámetro del producto

Longitud de onda 589nm (585nm ~ 593nm)
Voltaje hacia delante (Vf) (típico) 2.35V
Ángulo de visión 120°
Resistencia térmica del paquete 12°C/W
Temperatura - Prueba 25°C
Paquete del dispositivo SMD
Tamaño / Medidas 0.120" L x 0.177" W (3.05mm x 4.50mm)
Serie SHUEN
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 1218 (3246 Metric)
Otros nombres 1080-1252-2
ELSHF31Y10LPNMAA3A5
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks
Número de pieza del fabricante ELSH-F31Y1-0LPNM-AA3A5
Lúmenes / vatio corriente - Prueba 51 lm/W
Altura - Asiento (Máx) 0.085" (2.15mm)
Flujo @ Corriente / Temperatura - Prueba 42 lm (39 lm ~ 45 lm)
Descripción ampliada LED Lighting Color SHUEN Amber 589nm (585nm ~ 593nm) 1218 (3246 Metric)
Descripción LED SHUEN 1W HI POWER YLW SMD
Corriente - Prueba 350mA
Corriente - Max 600mA
Color Amber

Otros

Paquete estándar 400
Otros nombres 1080-1252-2

ELSHF31Y10LPNMAA3A5

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Distribuidor de Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies es el desarrollador y fabricante líder de RAM magnética (MRAM) que ofrece productos MRAM independientes e integrados. La MRAM de Everspin es la memoria no volátil más rápida de la industria y ofrece una resistencia ilimitada, una confiabilidad incomparable, una retención de datos de más de 10 años e interfaces paralelas y en serie. Como primer proveedor mundial de MRAM en volumen, Everspin ha establecido una cartera de propiedad intelectual de MRAM de más de 600 patentes y aplicaciones activas, muchas de las cuales son fundamentales y esenciales para las tecnologías de MRAM.

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