FCH041N65EFL4

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EXSHINE Número de pieza:	EX-FCH041N65EFL4
Fabricante Número de pieza:	FCH041N65EFL4
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:	MOSFET N-CH 650V 76A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	FCH041N65EFL4 Datasheet
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

FCH041N65EFL4
En stock: 30900 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	5V @ 7.6mA
Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	TO-247-4L
Serie	FRFET®, SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs	41 mOhm @ 38A, 10V
La disipación de energía (máximo)	595W (Tc)
embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-4
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	37 Weeks
Número de pieza del fabricante	FCH041N65EFL4
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12560pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	298nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	N-Channel 650V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción	MOSFET N-CH 650V 76A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)

Otros

Paquete estándar	30

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