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FDD6N50TM_F085

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FDD6N50TM_F085

EXSHINE Número de pieza:EX-FDD6N50TM_F085
Fabricante Número de pieza:FDD6N50TM_F085
Fabricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:FDD6N50TM_F085
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo D-Pak
Serie Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs 900 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo) 89W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres FDD6N50TM_F085-ND
FDD6N50TM_F085TR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 13 Weeks
Número de pieza del fabricante FDD6N50TM_F085
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 16.6nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500V
Descripción MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)

Otros

Otros nombres FDD6N50TM_F085-ND

FDD6N50TM_F085TR
Paquete estándar 2,500

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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