FDD86367_F085

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EXSHINE Número de pieza:	EX-FDD86367_F085
Fabricante Número de pieza:	FDD86367_F085
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	FDD86367_F085
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

FDD86367_F085
En stock: 92218000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	D-PAK (TO-252AA)
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs	4.2 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)	227W (Tj)
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	FDD86367_F085TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks
Número de pieza del fabricante	FDD86367_F085
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4840pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	88nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	N-Channel 80V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V
Descripción	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

Otros

Otros nombres	FDD86367_F085TR
Paquete estándar	2,500

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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