FDFMA2N028Z

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FDFMA2N028Z

EXSHINE Número de pieza:EX-FDFMA2N028Z
Fabricante Número de pieza:FDFMA2N028Z
Fabricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:1
Descarga de la hoja de datos:FDFMA2N028Z
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FDFMA2N028Z
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 6-MicroFET (2x2)
Serie PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo) 1.4W (Tj)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-VDFN Exposed Pad
Otros nombres FDFMA2N028ZTR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks
Número de pieza del fabricante FDFMA2N028Z
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada N-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta)

Otros

Paquete estándar 3,000
Otros nombres FDFMA2N028ZTR

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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