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FDMS3669S
| EXSHINE Número de pieza: | EX-FDMS3669S |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | FDMS3669S |
| Fabricante / Marca: | Fairchild/ON Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | FDMS3669S |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
FDMS3669S
En stock: 31220000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 2.7V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 10 mOhm @ 13A, 10V |
| Potencia - Max | 1W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres | FDMS3669STR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | FDMS3669S |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1605pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 18A |
Otros
| Otros nombres | FDMS3669STR |
|---|---|
| Paquete estándar | 3,000 |
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor
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