FDMS8050ET30

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EXSHINE Número de pieza:	EX-FDMS8050ET30
Fabricante Número de pieza:	FDMS8050ET30
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:	MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	FDMS8050ET30
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

FDMS8050ET30
En stock: 92070 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	3V @ 750µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	Power56
Serie	PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs	0.65 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.3W (Ta), 180W (Tc)
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN
Otros nombres	FDMS8050ET30TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks
Número de pieza del fabricante	FDMS8050ET30
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	22610pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	285nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	N-Channel 30V 55A (Ta), 423A (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount Power56
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción	MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	55A (Ta), 423A (Tc)

Otros

Paquete estándar	3,000
Otros nombres	FDMS8050ET30TR

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