FQD8P10TM_SB82052

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EXSHINE Número de pieza:	EX-FQD8P10TM_SB82052
Fabricante Número de pieza:	FQD8P10TM_SB82052
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	FQD8P10, FQU8P10
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

FQD8P10TM_SB82052
En stock: 17186 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	D-Pak
Serie	QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs	530 mOhm @ 3.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 44W (Tc)
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	FQD8P10TM_SB82052
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	P-Channel 100V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.6A (Tc)

Otros

Paquete estándar	2,500

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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