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FQI8P10TU
| EXSHINE Número de pieza: | EX-FQI8P10TU |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | FQI8P10TU |
| Fabricante / Marca: | Fairchild/ON Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | FQB8P10, FQI8P10 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
FQI8P10TU
En stock: 69823 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I2PAK (TO-262) |
| Serie | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 530 mOhm @ 4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | FQI8P10TU |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción | MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 50 |
|---|
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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor
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