FQP6N60C_F080

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EXSHINE Número de pieza:	EX-FQP6N60C_F080
Fabricante Número de pieza:	FQP6N60C_F080
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:	MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	1
Descarga de la hoja de datos:	FQP(F)6N60C TO220B03 Pkg Drawing
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

FQP6N60C_F080
En stock: 24727 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs	2 Ohm @ 2.75A, 10V
La disipación de energía (máximo)	125W (Tc)
embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	FQP6N60C_F080
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	810pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	N-Channel 600V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción	MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Tc)

Otros

Paquete estándar	50

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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