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HGT1S12N60A4DS

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HGT1S12N60A4DS

EXSHINE Número de pieza:EX-HGT1S12N60A4DS
Fabricante Número de pieza:HGT1S12N60A4DS
Fabricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:HGTP12N60A4D
Solicitud:-
Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
HGT1S12N60A4DS
En stock: 32740 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

Tensión - Colector-emisor (máx) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Condición de prueba 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C 17ns/96ns
Cambio de Energía 55µJ (on), 50µJ (off)
Paquete del dispositivo TO-263AB
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 30ns
Potencia - Max 167W
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante HGT1S12N60A4DS
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT -
puerta de carga 78nC
Descripción ampliada IGBT 600V 54A 167W Surface Mount TO-263AB
Descripción IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 96A
Corriente - colector (Ic) (Max) 54A

Otros

Paquete estándar 50

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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