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HGT1S2N120CN

EXSHINE Número de pieza:EX-HGT1S2N120CN
Fabricante Número de pieza:HGT1S2N120CN
Fabricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:HGT(P2,1S)2N120CN
Solicitud:-
Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
HGT1S2N120CN
En stock: 22271 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

Tensión - Colector-emisor (máx) 1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Condición de prueba 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C 25ns/205ns
Cambio de Energía 96µJ (on), 355µJ (off)
Paquete del dispositivo TO-262
Serie -
Potencia - Max 104W
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante HGT1S2N120CN
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT NPT
puerta de carga 30nC
Descripción ampliada IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-262
Descripción IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 20A
Corriente - colector (Ic) (Max) 13A

Otros

Paquete estándar 50

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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