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HUF75637S3S
| EXSHINE Número de pieza: | EX-HUF75637S3S |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | HUF75637S3S |
| Fabricante / Marca: | Fairchild/ON Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | HUF75637P3, HUF75637S3S |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
HUF75637S3S
En stock: 76480 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | UltraFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 30 mOhm @ 44A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 155W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | HUF75637S3S |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 108nC @ 20V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 100V 44A (Tc) 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 400 |
|---|
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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor
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