RFD3055LE

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RFD3055LE

EXSHINE Número de pieza:EX-RFD3055LE
Fabricante Número de pieza:RFD3055LE
Fabricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción:MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:RFD3055LE/LESM, RFP3055LE
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Disponibilidad en tiempo real para
RFD3055LE
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-251AA
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 107 mOhm @ 8A, 5V
La disipación de energía (máximo) 38W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks
Número de pieza del fabricante RFD3055LE
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11.3nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V
Descripción MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)

Otros

Paquete estándar 75

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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