Iniciar sesión | Crear mi cuentaCorreo electrónico: [email protected] SKYPE: EXSHINECuenta | Cerrar sesión
Cambiar pais
Cambiar idioma

Seleccione el idioma

English简体中文русский한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesia
Cancelar
Carrito de compras
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Diodos-rectificadores-Single > GAP3SLT33-220FP
GAP3SLT33-220FP

Foto de referencia solamente Contáctenos para más imágenes

GAP3SLT33-220FP

EXSHINE Número de pieza:EX-GAP3SLT33-220FP
Fabricante Número de pieza:GAP3SLT33-220FP
Fabricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Breve descripción:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:GAP3SLT33-220FP Datasheet
Solicitud:-
Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
GAP3SLT33-220FP
En stock: 75210 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Haga clic abajo para ordenar GAP3SLT33-220FP en línea

US$ 16.67

Precio de comercialización de referencia: US$ 16.67

Nuestro mejor precio: N/A (Email us)

Mínimo:1

Múltiples:1

1+:
$16.67
10+:
$15.15
25+:
$14.014
100+:
$12.878
250+:
$11.741
500+:
$10.984
Solicitud de un mejor precio >
  • Descripción
  • Pago
  • Envío
  • embalaje

Parámetro del producto

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.7V @ 300mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 3300V (3.3kV)
Paquete del dispositivo TO-220FP
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0ns
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-2 Full Pack
Otros nombres 1242-1183
GAP3SLT33220FP
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 175°C
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 18 Weeks
Número de pieza del fabricante GAP3SLT33-220FP
Descripción ampliada Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA Through Hole TO-220FP
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Descripción DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
Corriente - Fuga inversa a Vr 5µA @ 3300V
Corriente - rectificada media (Io) 300mA
Capacitancia Vr, F 42pF @ 1V, 1MHz

Otros

Otros nombres 1242-1183

GAP3SLT33220FP
Paquete estándar 500

Puede elegir las siguientes opciones de pago. Póngase en contacto con nuestro equipo de ventas si tiene alguna pregunta.

 T / T (Transferencia bancaria)
 Recibiendo: 1-4 días.

 Paypal
 Recibiendo: inmediatamente.

 Western Union
 Recibiendo: 1-2 horas.

 MoneyGram
 Recibiendo: 1-2 horas.

 Alipay
 Recibiendo: inmediatamente.

Puede elegir las siguientes opciones de envío, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas para verificar el costo de envío a su dirección.
Si no desea utilizar nuestro servicio de envío, también puede organizar la recogida en nuestro almacén o enviarla por su cuenta de mensajería.
 DHL EXPRESS
 Tiempo de entrega: 1-3 días.
 FEDEX EXPRESS
 Tiempo de entrega: 1-3 días.
 UPS EXPRESS
 Tiempo de entrega: 2-4 días.
 TNT EXPRESS
 Tiempo de entrega: 3-6 días.
 EMS EXPRESS
 Tiempo de entrega: 7-10 días.

Producto relacionado

Imagen Mfg. Número de pieza Fabricantes Breve descripción Ficha de datos En stock Precio del articulo Comprar online
GAPM2054N EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación
GAP200V ORIGINAL New Stocks GAP200V ORIGINAL SMD or Through Hole Ver   Investigación
GAP34MDS4T0000 POSI GAP34MDS4T0000 POSI SMD or Through Hole new date code and low price Ver   Investigación
GAP3010 TOSHIBA GAP3010 SMD or Through Hole Original Package Stock Ver   Investigación
GAPM2095P EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación
GAPM2070P EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación
GAP05SLT80-220 Image GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL Descargar Ver US$ 295.486 Investigación
GAPM2004N EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación
GAP201 G-PLUS New Stocks GAP201 G-PLUS QFN Ver   Investigación
GAPM2012N EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación
GAP529 N/Y GAP529 N/Y SIP3 new date code and low price Ver   Investigación
GAP07N70 EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación
GAP3SLT33-214 Image GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Descargar Ver US$ 12.448 Investigación
GAP123 ORIGINAL GAP123 ORIGINAL CAN3 new date code and low price Ver   Investigación
GAPM2014N EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación
GAP100 ORIGINAL GAP100 ORIGINAL CAN3 new date code and low price Ver   Investigación
GAPM2030N EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación
GAP21 ORIGINAL Low Price GAP21 ORIGINAL SMD or Through Hole Ver   Investigación
GAPM2007N EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación
GAPM2055N EXSHINE Mini size of Discrete semiconductor elements Ver   Investigación

Distribuidor de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.

buscar la palabra clave

  • GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP
  • Hoja de datos GAP3SLT33-220FP
  • Hoja de datos GAP3SLT33-220FP
  • Hoja de datos pdf GAP3SLT33-220FP
  • Precio GAP3SLT33-220FP
  • Imagen GAP3SLT33-220FP
  • Compra GAP3SLT33-220FP
  • GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP
  • GAP3SLT33
  • GAP3S