EXSHINE Número de pieza: | EX-GB01SLT12-220 |
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Fabricante Número de pieza: | GB01SLT12-220 |
Fabricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
Breve descripción: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición: | New and unused, Original |
Descarga de la hoja de datos: | GB01SLT12-220 |
Solicitud: | - |
Peso: | - |
Reemplazo Alternativo: | - |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8V @ 1A |
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Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200V (1.2kV) |
Paquete del dispositivo | TO-220AC |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-220-2 |
Otros nombres | 1242-1125 GB01SLT12220 |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 Weeks |
Número de pieza del fabricante | GB01SLT12-220 |
Descripción ampliada | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Through Hole TO-220AC |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Descripción | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 2µA @ 1200V |
Corriente - rectificada media (Io) | 1A |
Capacitancia Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
Otros nombres | 1242-1125 GB01SLT12220 |
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Paquete estándar | 50 |
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- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.