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MUR30005CT
| EXSHINE Número de pieza: | EX-MUR30005CT |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | MUR30005CT |
| Fabricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
| Breve descripción: | DIODE MODULE 50V 300A 2TOWER |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | 1 |
| Descarga de la hoja de datos: | MUR30005CT thru 30020CTRTwin Tower Pkg Drawing |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
MUR30005CT
En stock: 10280 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.3V @ 100A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 50V |
| Paquete del dispositivo | Twin Tower |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 90ns |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Twin Tower |
| Otros nombres | MUR30005CTGN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | MUR30005CT |
| Descripción ampliada | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 50V 300A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
| Tipo de diodo | Standard |
| configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción | DIODE MODULE 50V 300A 2TOWER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 25µA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 300A (DC) |
Otros
| Otros nombres | MUR30005CTGN |
|---|---|
| Paquete estándar | 25 |
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.