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GP1M023A050N
| EXSHINE Número de pieza: | EX-GP1M023A050N |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | GP1M023A050N |
| Fabricante / Marca: | Global Power Technologies Group |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | GP1M023A050N |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
GP1M023A050N
En stock: 96840 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-3PN |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 220 mOhm @ 11.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 347W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Otros nombres | 1560-1192-1 1560-1192-1-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | GP1M023A050N |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3391pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 500V 23A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Otros
| Otros nombres | 1560-1192-1 1560-1192-1-ND |
|---|---|
| Paquete estándar | 1 |
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Distribuidor de Global Power Technologies Group
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