4EA1250A0Z3BACUGI8

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4EA1250A0Z3BACUGI8

EXSHINE Número de pieza:EX-4EA1250A0Z3BACUGI8
Fabricante Número de pieza:4EA1250A0Z3BACUGI8
Fabricante / Marca:IDT (Integrated Device Technology)
Breve descripción:IC OSCILLATOR QUAD MEMS 10PIN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:4EA1250A0Z3BACUGI8
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Parámetro del producto

Suministro de voltaje 2.5V
Tipo MEMS (Silicon)
Tamaño / Medidas 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Serie 4EA1250A0Z3
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 10-SMD, No Lead
Salida CMOS, LVPECL
Otros nombres IDT4EA1250A0Z3BACUGI8
IDT4EA1250A0Z3BACUGI8-ND
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante 4EA1250A0Z3BACUGI8
Altura 0.035" (0.90mm)
Función Enable/Disable
Estabilidad de frecuencia ±50ppm
Frecuencia - Salida 2 50MHz
Frecuencia - Resultado 1 125MHz, 150MHz, 200MHz, 250MHz
Descripción ampliada CMOS, LVPECL MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 2.5V 10-SMD, No Lead
Descripción IC OSCILLATOR QUAD MEMS 10PIN
Corriente - Fuente (Max) 130mA (Typ)
Corriente - Fuente (Deshabilitar) (Max) -

Otros

Otros nombres IDT4EA1250A0Z3BACUGI8

IDT4EA1250A0Z3BACUGI8-ND
Paquete estándar 500

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Distribuidor de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), es un líder tecnológico que diseña, desarrolla y comercializa circuitos integrados de alto rendimiento para los siguientes mercados clave: (i) automotriz, (ii) comunicaciones, (iii) consumidor digital y ( iv) industrial y medico. Sus productos principales son SRAM de alta velocidad y baja potencia y DRAM de baja y media densidad. La compañía también diseña y comercializa productos flash NOR y circuitos integrados analógicos y mixtos de alto rendimiento. Se dirigen a los mercados de alto crecimiento con nuestros productos semiconductores rentables y de alta calidad y buscan establecer relaciones a largo plazo con nuestros clientes. Han sido un proveedor comprometido a largo plazo de productos de memoria, incluidos productos de menor densidad y de menor volumen, incluso durante períodos de capacidad de fabricación limitada.

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