70V25L35J

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EXSHINE Número de pieza:	EX-70V25L35J
Fabricante Número de pieza:	70V25L35J
Fabricante / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Breve descripción:	IC SRAM 128KBIT 35NS 84PLCC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	IDT70V35/34S/L, IDT70V25/24S/L IDT Suffixes
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

70V25L35J
En stock: 50300 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Suministro de voltaje	3 V ~ 3.6 V
Paquete del dispositivo	84-PLCC (29.21x29.21)
Velocidad	35ns
Serie	-
embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	84-LCC (J-Lead)
Otros nombres	IDT70V25L35J IDT70V25L35J-ND
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	128Kb (8K x 16)
Formato de memoria	SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante	7 Weeks
Número de pieza del fabricante	70V25L35J
Interfaz	Parallel
Descripción	IC SRAM 128KBIT 35NS 84PLCC

Otros

Otros nombres	IDT70V25L35J IDT70V25L35J-ND
Paquete estándar	15

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Distribuidor de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), es un líder tecnológico que diseña, desarrolla y comercializa circuitos integrados de alto rendimiento para los siguientes mercados clave: (i) automotriz, (ii) comunicaciones, (iii) consumidor digital y ( iv) industrial y medico. Sus productos principales son SRAM de alta velocidad y baja potencia y DRAM de baja y media densidad. La compañía también diseña y comercializa productos flash NOR y circuitos integrados analógicos y mixtos de alto rendimiento. Se dirigen a los mercados de alto crecimiento con nuestros productos semiconductores rentables y de alta calidad y buscan establecer relaciones a largo plazo con nuestros clientes. Han sido un proveedor comprometido a largo plazo de productos de memoria, incluidos productos de menor densidad y de menor volumen, incluso durante períodos de capacidad de fabricación limitada.

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