71T75802S166BGI

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EXSHINE Número de pieza:	EX-71T75802S166BGI
Fabricante Número de pieza:	71T75802S166BGI
Fabricante / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Breve descripción:	IC SRAM 18MBIT 166MHZ 119BGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	IDT71T75602/802
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

71T75802S166BGI
En stock: 26010 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Suministro de voltaje	2.375 V ~ 2.625 V
Paquete del dispositivo	119-PBGA (14x22)
Velocidad	166MHz
Serie	-
embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	119-BGA
Otros nombres	IDT71T75802S166BGI IDT71T75802S166BGI-ND
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	18Mb (1M x 18)
Formato de memoria	SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante	8 Weeks
Número de pieza del fabricante	71T75802S166BGI
Interfaz	Parallel
Descripción	IC SRAM 18MBIT 166MHZ 119BGA

Otros

Paquete estándar	84
Otros nombres	IDT71T75802S166BGI IDT71T75802S166BGI-ND

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Distribuidor de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), es un líder tecnológico que diseña, desarrolla y comercializa circuitos integrados de alto rendimiento para los siguientes mercados clave: (i) automotriz, (ii) comunicaciones, (iii) consumidor digital y ( iv) industrial y medico. Sus productos principales son SRAM de alta velocidad y baja potencia y DRAM de baja y media densidad. La compañía también diseña y comercializa productos flash NOR y circuitos integrados analógicos y mixtos de alto rendimiento. Se dirigen a los mercados de alto crecimiento con nuestros productos semiconductores rentables y de alta calidad y buscan establecer relaciones a largo plazo con nuestros clientes. Han sido un proveedor comprometido a largo plazo de productos de memoria, incluidos productos de menor densidad y de menor volumen, incluso durante períodos de capacidad de fabricación limitada.

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