71V016SA10PHGI

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EXSHINE Número de pieza:	EX-71V016SA10PHGI
Fabricante Número de pieza:	71V016SA10PHGI
Fabricante / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Breve descripción:	IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	IDT71V016SA
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

71V016SA10PHGI
En stock: 57730 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Suministro de voltaje	3.15 V ~ 3.6 V
Paquete del dispositivo	44-TSOP II
Velocidad	10ns
Serie	-
embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Otros nombres	IDT71V016SA10PHGI IDT71V016SA10PHGI-ND
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	1Mb (64K x 16)
Formato de memoria	SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Número de pieza del fabricante	71V016SA10PHGI
Interfaz	Parallel
Descripción	IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP

Otros

Otros nombres	IDT71V016SA10PHGI IDT71V016SA10PHGI-ND
Paquete estándar	26

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Distribuidor de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), es un líder tecnológico que diseña, desarrolla y comercializa circuitos integrados de alto rendimiento para los siguientes mercados clave: (i) automotriz, (ii) comunicaciones, (iii) consumidor digital y ( iv) industrial y medico. Sus productos principales son SRAM de alta velocidad y baja potencia y DRAM de baja y media densidad. La compañía también diseña y comercializa productos flash NOR y circuitos integrados analógicos y mixtos de alto rendimiento. Se dirigen a los mercados de alto crecimiento con nuestros productos semiconductores rentables y de alta calidad y buscan establecer relaciones a largo plazo con nuestros clientes. Han sido un proveedor comprometido a largo plazo de productos de memoria, incluidos productos de menor densidad y de menor volumen, incluso durante períodos de capacidad de fabricación limitada.

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