71V3577S85BQG

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EXSHINE Número de pieza:	EX-71V3577S85BQG
Fabricante Número de pieza:	71V3577S85BQG
Fabricante / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Breve descripción:	IC SRAM 4.5MBIT 8.5NS 165CABGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	IDT Suffixes IDT71V3577/79(S,SA)
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

71V3577S85BQG
En stock: 99010 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Suministro de voltaje	3.135 V ~ 3.465 V
Paquete del dispositivo	165-CABGA (13x15)
Velocidad	87MHz
Serie	-
embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	165-TBGA
Otros nombres	IDT71V3577S85BQG IDT71V3577S85BQG-ND
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	4.5Mb (128K x 36)
Formato de memoria	SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante	11 Weeks
Número de pieza del fabricante	71V3577S85BQG
Interfaz	Parallel
Descripción	IC SRAM 4.5MBIT 8.5NS 165CABGA

Otros

Paquete estándar	136
Otros nombres	IDT71V3577S85BQG IDT71V3577S85BQG-ND

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Distribuidor de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), es un líder tecnológico que diseña, desarrolla y comercializa circuitos integrados de alto rendimiento para los siguientes mercados clave: (i) automotriz, (ii) comunicaciones, (iii) consumidor digital y ( iv) industrial y medico. Sus productos principales son SRAM de alta velocidad y baja potencia y DRAM de baja y media densidad. La compañía también diseña y comercializa productos flash NOR y circuitos integrados analógicos y mixtos de alto rendimiento. Se dirigen a los mercados de alto crecimiento con nuestros productos semiconductores rentables y de alta calidad y buscan establecer relaciones a largo plazo con nuestros clientes. Han sido un proveedor comprometido a largo plazo de productos de memoria, incluidos productos de menor densidad y de menor volumen, incluso durante períodos de capacidad de fabricación limitada.

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