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64-0007

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64-0007

EXSHINE Número de pieza:EX-64-0007
Fabricante Número de pieza:64-0007
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IRF640N
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
64-0007
En stock: 52768 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 150 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres *IRF640N
IRF640N
IRF640N-ND
SP001522470
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante 64-0007
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 67nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200V
Descripción MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)

Otros

Otros nombres *IRF640N

IRF640N

IRF640N-ND

SP001522470
Paquete estándar 50

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