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AUIRF7759L2TR

EXSHINE Número de pieza:EX-AUIRF7759L2TR
Fabricante Número de pieza:AUIRF7759L2TR
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:AUIRF7759L2TR(1)
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AUIRF7759L2TR
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo DIRECTFET L8
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 2.3 mOhm @ 96A, 10V
La disipación de energía (máximo) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric L8
Otros nombres SP001517184
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 14 Weeks
Número de pieza del fabricante AUIRF7759L2TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12222pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 300nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 75V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 75V
Descripción MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 375A (Tc)

Otros

Paquete estándar 4,000
Otros nombres SP001517184

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