BSC050N03MSGATMA1

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BSC050N03MSGATMA1

EXSHINE Número de pieza:EX-BSC050N03MSGATMA1
Fabricante Número de pieza:BSC050N03MSGATMA1
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:BSC050N03MS G
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BSC050N03MSGATMA1
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8
Serie OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN
Otros nombres BSC050N03MS G
BSC050N03MSG
BSC050N03MSGINTR
BSC050N03MSGINTR-ND
BSC050N03MSGXT
SP000311507
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 16 Weeks
Número de pieza del fabricante BSC050N03MSGATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 46nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 30V 16A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 80A (Tc)

Otros

Otros nombres BSC050N03MS G

BSC050N03MSG

BSC050N03MSGINTR

BSC050N03MSGINTR-ND

BSC050N03MSGXT

SP000311507
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