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BSO211PNTMA1
| EXSHINE Número de pieza: | EX-BSO211PNTMA1 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | BSO211PNTMA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | BSO211P |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
BSO211PNTMA1
En stock: 18055000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 25µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | P-DSO-8 |
| Serie | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Potencia - Max | 2W |
| embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | BSO211PINCT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | BSO211PNTMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A |
Otros
| Otros nombres | BSO211PINCT |
|---|---|
| Paquete estándar | 1 |
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