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IDH04G65C5XKSA1
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IDH04G65C5XKSA1 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IDH04G65C5XKSA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IDH04G65C5 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IDH04G65C5XKSA1
En stock: 95170 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7V @ 4A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650V |
| Paquete del dispositivo | PG-TO220-2 |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | thinQ!™ |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-2 |
| Otros nombres | IDH04G65C5 IDH04G65C5-ND SP000925198 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | IDH04G65C5XKSA1 |
| Descripción ampliada | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 140µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 4A (DC) |
| Capacitancia Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Otros
| Paquete estándar | 500 |
|---|---|
| Otros nombres | IDH04G65C5 IDH04G65C5-ND SP000925198 |
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