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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IPA65R1K5CEXKSA1
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IPA65R1K5CEXKSA1
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IPA65R1K5CEXKSA1 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IPA65R1K5CEXKSA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 650V TO220-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IPA65R1K5CE |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IPA65R1K5CEXKSA1
En stock: 19940000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 130µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TO220 Full Pack |
| Serie | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 30W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres | SP001429484 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | IPA65R1K5CEXKSA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | Super Junction |
| Descripción ampliada | N-Channel 650V 5.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V TO220-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 500 |
|---|---|
| Otros nombres | SP001429484 |
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