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IPB049N08N5ATMA1
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IPB049N08N5ATMA1 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IPB049N08N5ATMA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IPB049N08N5 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IPB049N08N5ATMA1
En stock: 76463000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 3.8V @ 66µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TO263-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | SP001227052 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | IPB049N08N5ATMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 80V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
| Descripción | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Otros
| Otros nombres | SP001227052 |
|---|---|
| Paquete estándar | 1,000 |
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