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IPB144N12N3 G
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IPB144N12N3 G |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IPB144N12N3 G |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IPB144N12N3 G
En stock: 68384000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 61µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TO263-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 14.4 mOhm @ 56A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 107W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | IPB144N12N3 G-ND IPB144N12N3G IPB144N12N3GATMA1 SP000694166 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | IPB144N12N3 G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 60V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 120V |
| Descripción | MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Ta) |
Otros
| Paquete estándar | 1,000 |
|---|---|
| Otros nombres | IPB144N12N3 G-ND IPB144N12N3G IPB144N12N3GATMA1 SP000694166 |
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